Estudio de la cinética de adsorción del zinc en el crecimiento por epitaxia de capas atómicas de Zn^Cd^.xSe

Resumen

El desarrollo de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, cuya región activa está constituida por estructuras cuánticas, está fuertemente modulado por la capacidad de fabricar dichas estructuras con una alta calidad cristalina, con un alto control de la composición química y. sobre todo, con gran reproducibilidad. En este sentido, las técnicas de crecimiento epitaxia! constituyen la piedra angular en el desarrollo tecnológico que supone la nanotecnología. En este trabajo se plantean, en general, los diferentes procesos químicos y físicos que tienen lugar durante un crecimiento por epitaxia de capas atómicas (Atomic Layer Epitaxy [ALE]) de pozos cuánticos ultradelgados (ULtra-Thin Quantum Wells [UTQW]) de Zn^^Cdj^Se y se estudian, en particular, la cinética del proceso de adsorción del zinc (Zn) dentro de la estructura cristalina en términos de una ecuación de reacción de primer orden que define la composición de la estructura en función de la temperatura del sustrato y del flujo de átomos de zinc. Se obtienen los valores para la energía de activación, el factor preexponencial y la constante de adsorción del zinc. La composición química de los UTQW es uno de los parámetros más importantes para el diseño de estructuras cuánticas, ya que define la energía de emisión en potenciales aplicaciones optoelectrónicas.